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J-GLOBAL ID：200903051759070290

窒化ガリウム結晶の製造方法

Inventor： 油利 正昭 ,  上田 哲三 ,  馬場 孝明
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996224899
Publication number (International publication number)：1998070079
Application date： Aug. 27, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム結晶の転位密度を低減し、かつへき開を可能にする。【解決手段】 シリコン基板1上に炭化ケイ素薄膜2、第1の窒化ガリウム結晶3を順次形成したのち、フッ酸と硝酸の混合液などの酸性溶液中で基板1のみを除去する。続いて、残った炭化ケイ素2および窒化ガリウム3の上に、第2の窒化ガリウム結晶4を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に前記半導体基板とは格子定数の異なる半導体薄膜と第1の窒化ガリウム結晶を順次形成し、続いて前記半導体基板を除去した後に、前記第1の窒化ガリウム結晶上に第2の窒化ガリウム結晶を形成することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18