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J-GLOBAL ID：200903051772312490

酸化物電子装置

Inventor： 波頭 経裕
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996097816
Publication number (International publication number)：1997283773
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明では、極めて簡単な手段に依って、酸化物半導体と中間層との電子親和力、即ち、接触面に於ける空乏層に起因するバリヤ高さに依っては動作電圧が決定されない構造を実現し、動作電圧の低減を図ろうとする。【解決手段】 電極3とコンタクトする為の中間層2が積層形成された酸化物半導体1と、酸化物半導体1及び中間層2の積層界面側の酸化物半導体1表面近傍にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層5とを備える。

Claim (excerpt)：

電極とコンタクトする為の中間層が積層形成された酸化物半導体と、該酸化物半導体及び該中間層の積層界面側の酸化物半導体表面近傍にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層とを備えてなることを特徴とする酸化物電子装置。

IPC (4)：

H01L 29/88 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01L 29/88 F ,  H01L 29/06 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/78 622