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J-GLOBAL ID：200903051776268053
MISトランジスタの作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992359156
Publication number (International publication number)：1994204248
Application date： Dec. 26, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【構成】 MISトランジスタの作製方法に関して、ゲイト電極部形成後に、絶縁被膜を通して高速イオンを照射することによって不純物を半導体領域中に自己整合的に注入したのち、前記絶縁被膜を全て除去して、レーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって、不純物の注入された半導体領域の活性化をおこなうことを特徴とする作製方法。
Claim (excerpt)：
半導体領域上に絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜を通して、前記半導体領域中に不純物元素を導入する工程と、前記絶縁被膜を除去する工程と、露出された前記半導体領域にレーザーもしくはそれと同等な強光を上面から照射して、前記半導体領域の結晶性を向上せしめる工程とを有するMISトランジスタの作製方法。
IPC (4)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 29/78 311 P
, H01L 21/265 B
, H01L 29/78 311 Y
