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J-GLOBAL ID：200903051777208925

化合物半導体発光素子

Inventor： 片山 浩二 ,  三井 正 ,  松原 秀樹 ,  中西 文毅
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177107
Publication number (International publication number)：2001007401
Application date： Jun. 23, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 色合いの制御が容易な単色光用または白色光の光源の一部を構成する化合物半導体発光素子、および高演色性、高輝度、高変換効率の白色発光用の化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 p型化合物半導体エピタキシャル層とn型化合物半導体エピタキシャル層とに挟まれた第1発光層と、p型化合物半導体層とn型化合物半導体層のいずれか一方の同じ型の不純物含有化合物半導体層の2層に挟まれた、第1発光層よりも長波長の光を発光する第2発光層とを備える構成とする。

Claim (excerpt)：

p型化合物半導体エピタキシャル層とn型化合物半導体エピタキシャル層とに挟まれた第1発光層と、p型化合物半導体層およびn型化合物半導体層のうちのいずれか一方の同じ型の不純物含有化合物半導体層の2層によって挟まれた前記第1発光層よりも長波長の光を発光する第2発光層と、を備える化合物半導体発光素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C09K 9/00 ,  C09K 11/88 ,  C09K 11/88 CPC

FI (5)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 D ,  C09K 9/00 C ,  C09K 11/88 ,  C09K 11/88 CPC

F-Term (38)：

4H001XA04 ,  4H001XA12 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA52 ,  4H001XB20 ,  4H001XB30 ,  4H001XB40 ,  4H001XB50 ,  4H001XB60 ,  4H001YA13 ,  4H001YA17 ,  4H001YA31 ,  4H001YA35 ,  4H001YA49 ,  4H001YA53 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CB28 ,  5F041DA07 ,  5F041DA44 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11