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J-GLOBAL ID:200903051782813578
半導体チップの実装方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992096923
Publication number (International publication number):1993299476
Application date: Apr. 17, 1992
Publication date: Nov. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体チップの実装方法に関し、低コストの半導体チップの表面実装方法を提供することを目的とする。【構成】 パッド21の上部にレジスト孔26を有するレジスト層25を、回路基板20の表面に形成し、粒状バンプ材30A をレジスト孔26のそれぞれに嵌入した後に、粒状バンプ材30A に電極11を位置合わせして、半導体チップ10を回路基板20に重層し、熱圧着するものとする。
Claim (excerpt):
パッド(21)の上部にレジスト孔(26)を有するレジスト層(25)を、回路基板(20)の表面に形成し、粒状バンプ材(30A) を該レジスト孔(26)のそれぞれに嵌入した後に、該粒状バンプ材(30A) に電極(11)を位置合わせして、半導体チップ(10)を該回路基板(20)に重層し、熱圧着して該半導体チップ(10)を実装することを特徴とする半導体チップの実装方法。
IPC (3):
H01L 21/603
, H05K 3/32
, H05K 3/34
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