窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998045665
Publication number (International publication number)：1999251684
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【目的】発振閾値を低下させて、高出力でも長寿命なレーザ素子を実現する。【構成】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n型およびp型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Alを含む第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層と組成の異なる第2の窒化物半導体層とが積層された超格子層が設けられ、前記第1の窒化物半導体層は活性層に接近するにつれて、Alの組成が少なくなるようにされており、さらに、その超格子層に含まれる導電型を決定する不純物が、活性層に接近するにつれて、少なくなるように調整されている。超格子よりなるGRIN構造とすることにより光が活性層に集中するようになるため、閾値が下がる。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n型およびp型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、Alを含む第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層と組成の異なる第2の窒化物半導体層とが積層された超格子層が設けられ、前記第1の窒化物半導体層は活性層に接近するにつれて、Alの含有量が少なくなるようにされていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292304 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭62-193192
特開昭60-145686

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