Pat
J-GLOBAL ID：200903051797808147
パターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996345773
Publication number (International publication number)：1998186669
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Jul. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】特性ばらつきの少ない微細素子、例えば量子効果デバイスの作製に必要となる、寸法ばらつきの少ないレジストパタ-ンを高能率で形成する手段を提供すること。【解決手段】レジストを構成する高分子として、ポリハイドロジェンシルセスキオキサン(その基本構造を図1に示す)の如く、シリコン原子および酸素原子を主体とする環状もしくは篭状高分子を用い、現像液としてアルカリ水溶液を用いることによって、寸法ばらつきの少ないレジストパタ-ンの形成を高感度条件下で可能とし、その結果として、特性ばらつきの少ない微細素子、例えば量子効果デバイスの製作を可能とする。
Claim (excerpt)：
基板上に電子線、X線、紫外線等の照射により感光する薄膜を堆積し、該薄膜の所定の部分を露光した後に、現像操作によって該基板上に該薄膜のパタ-ンを形成するパタ-ン形成方法において、該薄膜が、少なくとも、シリコン原子と酸素原子とを骨格に有する環状もしくは篭形高分子で構成されるものであり、かつ、該現像操作は、少なくとも、アルカリ溶液を用いる現像工程を含むことを特徴とするパタ-ン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/075 511
, G03F 7/038 505
, G03F 7/30
, G03F 7/40 501
, H01L 21/027
G03F 7/075 511
, G03F 7/038 505
, G03F 7/30
, G03F 7/40 501
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 569 F
, H01L 21/30 569 E
