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J-GLOBAL ID：200903051797816573

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 辻村 歩 ,  川口 靖利 ,  横川 俊哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001378316
Publication number (International publication number)：2003178976
Application date： Dec. 12, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 Si系基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる際のクラック発生を抑制し、C面内でのa軸配向性分布を向上させる。【解決手段】 周期的なリセス状ストライプからなる段差形状を有するSi基板に、650°C、100Torrで、窒素をキャリアガスとしてTMI、TMAおよびアンモニアをV/III比が70000となるように供給し、膜厚30nm程度のAlInN層を堆積させた後、1060°Cで水素をキャリアガスとしてTMGおよびアンモニアをV/III比が8000となるように供給すると、リセス部の上方にエアギャップを有し、主面がC面のみからなる平坦なGaN層がクラックの発生なく得られる。

Claim (excerpt)：

Si系基板上に、少なくともIII族元素およびNを含む層を有する半導体装置であって、該基板表面上に少なくともInを含む層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/80 H

F-Term (47)：

5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DC51 ,  5F045DC52 ,  5F052DA04 ,  5F052FA13 ,  5F052GC01 ,  5F052GC03 ,  5F073AA55 ,  5F073CA01 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073EA29 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GL14 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01