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J-GLOBAL ID：200903051799297000

低出力半導体レーザー治療器

Inventor： 西條 一止
Applicant, Patent owner： 株式会社バイオ・レーザージャパン ,  村上 多佳子
Agent (1)： 小林 和憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995119730
Publication number (International publication number)：1996308942
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Nov. 26, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 被検者の呼気時のみに極めて安全に使用できる軽微な刺激(低出力)レーザー光(1mW〜10mW)を被検者の皮膚患部に照射せしめる。【構成】 レーザー光照射を制御する制御部1と被検者の呼気を検知する呼吸センサー部2と被検者の皮膚患部を検知しかつ治療時間を制御するプローブ部3とから構成され、呼吸センサー部2は被検者の鼻腔の温度を検出するサーミスターと環境温度の変化による感度補正を行うサーミスターとからなり、そして、プローブ部3のタッチセンサー31が皮膚患部に触れているとき、鼻腔の温度を検出するサーミスターの温度が呼気時に僅かでも高くなると差動アンプ45を介して呼吸モニター回路21が動作され、制御部1の中央処理装置22を介してレーザー光が被検者の皮膚患部に照射し、即ちレーザー光照射が被検者の呼気時のみに同期して行われる。

Claim (excerpt)：

レーザー光照射を制御する制御部と皮膚患部を検知するプローブ部と被検者の呼気を検知する呼吸センサー部とから構成され、該呼吸センサー部が被検者の呼気信号を検知することにより制御部を制御してレーザー光が被検者の皮膚患部に照射されるようにしたことを特徴とする低出力半導体レーザー治療器。