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J-GLOBAL ID：200903051803478456

薄膜形成装置

Inventor： 草壁 嘉彦 ,  大西 寛 ,  織田 昌雄 ,  神立 信一 ,  稲葉 豊 ,  高橋 広成
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138656
Publication number (International publication number)：1993198520
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 反応槽の内壁面やウエハ支持台の表面に付着物が発生するのを阻止するとともに、ウエハの面内およびバッジ内の温度分布を均一にして不良品の発生を防止することにより、製造歩留まりの大幅な向上を達成することが可能な薄膜形成装置を提供する。【構成】 反応槽31の温度を原料ガスの分解反応温度未満に制御する第1の温度制御手段42と、ウエハ39およびウエハ近傍の雰囲気温度を原料ガスの分解反応温度以上に制御する第2の温度制御手段43とを備える。

Claim (excerpt)：

反応槽内にウエハを収納するとともに上記ウエハ上に原料ガスを流して加熱することにより上記ウエハ上に薄膜を堆積させる薄膜形成装置において、上記反応槽の温度を上記原料ガスの分解反応温度未満に制御する第1の温度制御手段と、上記ウエハおよびウエハ近傍の雰囲気温度を上記原料ガスの分解反応温度以上に制御する第2の温度制御手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-250465
  
• 特開昭64-017424
  
• 特開平2-148717
  
• 特開平4-067627