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J-GLOBAL ID:200903051804268595

磁気抵抗効果膜とこれを用いた磁気読取りセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松隈 秀盛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999171203
Publication number (International publication number):2001007420
Application date: Jun. 17, 1999
Publication date: Jan. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 スピンバルブ構成における固定磁性構造部が、アモルファス磁性層を有する場合において、磁気抵抗変化率の向上と耐熱性の改善を図る。【解決手段】 規則系反強磁性層1と、これに接合される固定磁性構造部2と、非磁性導電層3と、少なくとも1層以上の磁性層を有する自由磁性層部4とを有し、固定磁性構造部2にアモルファス磁性層5を有する磁気抵抗効果膜であって、そのアモルファス磁性層5と非磁性導電層3との接合を結晶性強磁性中間層61を介在させる構成とする。
Claim (excerpt):
規則系反強磁性層と、これに接合される固定磁性構造部と、非磁性導電層と、少なくとも1層以上の磁性層を有する自由磁性層部とを有し、上記固定磁性構造部にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果膜であって、上記アモルファス磁性層と上記非磁性導電層との間に第1の結晶性強磁性中間層を介在させて接合されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (2):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09
FI (2):
H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R
F-Term (6):
2G017AB05 ,  2G017AC04 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65

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