Pat

J-GLOBAL ID：200903051808789832

半導体素子

Inventor： 村山 雅也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991333046
Publication number (International publication number)：1993166849
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高出力化合物半導体装置について半導体基板とPHSとの接触抵抗を低減させ、素子の動作温度の低下をはかる。【構成】 半導体基板の一方の主面側に形成された動作領域と、前記半導体基板の他方の主面側に形成され前記動作領域に達しない深さの凹凸面部と、前記凹凸面部に密着し形成された放熱用金属層とを具備した半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方の主面側に形成された動作領域と、前記半導体基板の他方の主面側に形成され前記動作領域に達しない深さの凹凸面部と、前記凹凸面部に密着し形成された放熱用金属層とを具備した半導体素子。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/288 ,  H01L 23/36 ,  H01L 29/44

FI (2)：

H01L 29/80 U ,  H01L 23/36 D