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J-GLOBAL ID：200903051823995775

ダイナミックRAM

Inventor： 畠山 淳
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992256595
Publication number (International publication number)：1994111565
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】DRAMに関し、全メモリセルのデータをシリアル・モードにより連続して読み出すことができるように、全メモリセルのデータを読み出す場合の読出し時間の短縮化を図る。【構成】各ブロック11A、11B、11C、11Dにおいて、ブロック選択状態とされる前に、選択されるべきワード線に接続されている全メモリセルのデータを予めセンスアンプ14A0〜14An、14B0〜14Bn、14C0〜14Cn、14D0〜14Dnに保持させる。

Claim (excerpt)：

メモリセルを配列してなるメモリセルアレイ部と、ロウアドレス・ストローブ信号の立ち下がり後、コラムアドレス・ストローブ信号の最初の立ち下がりに同期させて、外部からロウアドレス、ブロックアドレス、コラムアドレスを取り込み、これらロウアドレス、ブロックアドレス、コラムアドレスを先頭アドレスとして、ロウアドレスを上位ビット、ブロックアドレスを中位ビット、コラムアドレスを下位ビットとし、かつ、ロウアドレスについては、ブロック選択状態からブロック非選択状態に移行された場合にインクリメントされるように、立ち上がり、立ち下がりを繰り返されるコラムアドレス・ストローブ信号の立ち下がりに同期させて、前記先頭アドレスから一巡するアドレスを順に出力するアドレス生成手段とを有し、ブロック選択状態、ブロック非選択状態に関係なく、ロウアドレスにより指定されたワード線に接続されている全メモリセルのデータをセンスアンプに保持させ、ブロック選択状態にされた場合にのみ、データを外部に出力するようにされた複数のブロックを設けて構成されていることを特徴とするダイナミックRAM。