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J-GLOBAL ID:200903051837029448

半導体発光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 河村 洌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997125171
Publication number (International publication number):1998321915
Application date: May. 15, 1997
Publication date: Dec. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】 サージや交流電圧駆動などのため、半導体発光素子のp側電極とn側電極に対して逆方向の電圧が印加される場合にも、素子の破壊や劣化を抑制することができると共に、交流電圧駆動をすることによりにより輝度を大幅に向上させたり、異なる波長の光を同時に発光させ、もしくはその混色を得ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 それぞれ発光層を形成すべく半導体層が積層された2個の発光素子チップ3a、3bと、該2個の発光素子チップの一方のn側電極39および他方のp側電極38を電気的に接続する第1の接続手段と、前記2個の発光素子チップの一方のp側電極38および他方のn側電極39を電気的に接続する第2の接続手段とからなり、前記第1および第2の接続手段間に外部から電圧を供給し得る構造になっている。
Claim (excerpt):
それぞれ発光層を形成すべく半導体層が積層された2個の発光素子チップと、該2個の発光素子チップの一方のn側電極および他方のp側電極を電気的に接続する第1の接続手段と、前記2個の発光素子チップの一方のp側電極および他方のn側電極を電気的に接続する第2の接続手段とからなり、前記第1および第2の接続手段間に外部から電圧を供給し得る半導体発光素子。

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