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J-GLOBAL ID：200903051862911694

磁性半導体を用いた円偏光スピン半導体レーザーおよびレーザー光の発生方法

Inventor： 吉田 博 ,  佐藤 和則
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002019409
Publication number (International publication number)：2003224333
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 従来の円偏光半導体レーザーは、円偏光度が十分でなかった。【構成】 半導体に遷移金属原子をドープし、またこれらにアクセプターやドナーをドープすることにより作り出したp型およびn型ハーフメタル磁性半導体、または、これらの磁性半導体にゲートをつけて電界効果により強磁性状態を調整・制御して作り出したp型およびn型ハーフメタル磁性半導体を用いて、電流注入により完全に円偏光したレーザー光を発生することができる円偏光スピン半導体レーザー。

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛(ZnO)、III-V族化合物半導体、またはII-VI族化合物半導体を母体として遷移金属原子を含む磁性半導体からなるp型のハーフメタル強磁性半導体とn型のハーフメタル強磁性半導体によって活性層となる多重量子井戸を両面から挟み、電流注入によりスピン分極したホールと電子を該活性層に導入し、円偏光したレーザー光を発生させることを特徴とする磁性半導体を用いた円偏光スピン半導体レーザー。

F-Term (10)：

5F073AA03 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA01 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB13 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F073EA22