Pat
J-GLOBAL ID：200903051863507226

二次元位相型光学素子の作製方法

Inventor：
田中 一郎

About 田中 一郎


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 日比谷 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000012881
Publication number (International publication number)：2000304913
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】 BO素子のレベルを正確に形成する。【解決手段】 基板11にストライプ状のクロムパターン12を形成し、クロムパターン11の上に、ストライプ状のアルミニウムパターン13をクロムパターン12と直交するように形成する。基板11の表面を、双方のパターン12、13が存在しない領域Eと、一方のパターン12のみが存在する領域Fと、他方のパターン13のみが存在する領域Gと、双方のパターン12、13が存在する領域Hとに区分し、これらの領域E〜Fをフォトリソグラフィにより個別に加工してレベルを形成する。
Claim (excerpt)：
基板上にストライプ状の異種材料から成る第1のマスクと第2のマスクを互いに異なる方向に向けて重ねて形成し、これらの第1のマスクと第2のマスクのうちの少なくとも一方を用いて全てのレベルの位置を規定することを特徴とする二次元位相型光学素子の作製方法。
IPC (3)：
G02B 5/18 ,  G03H 1/04 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G02B 5/18 ,  G03H 1/04 ,  H01L 21/30 515 D
F-Term (23)：
2H049AA07 ,  2H049AA13 ,  2H049AA33 ,  2H049AA37 ,  2H049AA40 ,  2H049AA44 ,  2H049AA45 ,  2H049AA48 ,  2H049AA55 ,  2K008AA10 ,  2K008EE04 ,  2K008FF12 ,  2K008FF13 ,  2K008FF14 ,  2K008FF27 ,  2K008GG05 ,  2K008HH25 ,  5F046AA02 ,  5F046AA05 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CA02 ,  5F046CA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開昭63-287801
  • 光学素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-158480   Applicant：富士通株式会社
  • 特開昭62-018561
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM