Pat
J-GLOBAL ID：200903051868794290
パターン欠陥特定方法及びパターン欠陥検出方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030971
Publication number (International publication number)：1997232387
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 客観的且つ正確にパターン欠陥の欠陥発生事由を特定できるようにすることを目的とする。【解決手段】 過去に発生しており且つ欠陥発生事由が判明している過去パターン欠陥の画像におけるRGBのコントラスト値の平均値を記憶しているデータベースを作製する。半導体装置の製造プロセスにおいて発生した発生パターン欠陥の画像におけるRGB毎のコントラスト値の平均値を計算する。発生パターン欠陥のRGB毎の平均値と過去パターン欠陥の画像におけるRGB毎のコントラスト値の平均値とを比較して、平均値の差が最も小さい過去パターン欠陥の欠陥発生事由を発生パターン欠陥の欠陥発生事由として特定する。
Claim (excerpt)：
半導体装置の製造プロセスにおけるパターン欠陥の発生工程、発生装置及び発生原因のうちの少なくとも1つよりなる欠陥発生事由を特定するパターン欠陥特定方法であって、過去に発生しており且つ前記欠陥発生事由が判明しているパターン欠陥である過去パターン欠陥の画像における少なくとも1つの色のコントラストの値よりなる過去パターン欠陥コントラスト情報を記憶しているデータベースを作製するデータベース作製工程と、半導体装置の製造プロセスにおいて発生したパターン欠陥である発生パターン欠陥を検出するパターン欠陥検出工程と、検出された発生パターン欠陥の画像における前記少なくとも1つの色のコントラストの値よりなる発生パターン欠陥コントラスト情報を計算するコントラスト計算工程と、前記発生パターン欠陥コントラスト情報と前記過去パターン欠陥コントラスト情報とを比較することにより、前記発生パターン欠陥の前記欠陥発生事由を特定する欠陥発生事由特定工程とを備えていることを特徴とするパターン欠陥特定方法。
FI (2)：
H01L 21/66 A
, H01L 21/66 J
