Pat
J-GLOBAL ID：200903051882238686
半導体集積回路装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018123
Publication number (International publication number)：1995226386
Application date： Feb. 15, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】この発明は、ショットキ-接合とオ-ミック接合とを含む素子を微細化しても信頼性が低下することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】コンタクトホ-ル38a 〜38e 内、絶縁膜38上に高融点金属のバリアメタル層39を堆積し、バリアメタル層39上にAl層40を堆積し、絶縁膜38上および第2乃至第5のコンタクトホ-ル38b 〜38e 内にバリアメタル層39、Al層40からなる第1層目の配線43を形成し、この配線43においてバリアメタル層39とのオ-ミック接合を形成する。次に、層間絶縁膜44に第6のコンタクトホ-ル44a を形成し、ウエット処理により、コンタクトホ-ル44a 内の窒化珪素膜29及びシリコン酸化膜28を除去する。次に、コンタクトホ-ル44a 内及び層間絶縁膜44上にAlからなる第2層目の配線46を形成し、この配線46において第1のNウェル領域24a とのショットキ-接合を形成する。従って、装置の信頼性の低下を防止できる。
Claim (excerpt)：
半導体層と、前記半導体層とオ-ミック接合され、少なくとも下層が高融点金属により構成された第1層目の金属積層配線と、前記第1層目の金属積層配線および前記半導体層の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に設けられたショットキ-領域に位置するホ-ルと、前記ホ-ル内および前記絶縁膜の上に形成され、前記半導体層とショットキ-接合された第2層目の金属配線と、を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (7)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/8249
, H01L 27/06
, H01L 21/8222
, H01L 27/082
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 27/06 321 F
, H01L 27/06 321 C
, H01L 27/08 101 B
, H01L 29/72
