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J-GLOBAL ID：200903051887412641

半導体レ-ザ

Inventor： 平田 照二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999137180
Publication number (International publication number)：2000174385
Application date： May. 18, 1999
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】非点隔差を良好に補正でき、高出力動作時においても安定に発振する半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ100において、ストライプ部106の中央の導波路ストライプ幅は一定であり、ストライプ部106の中央部(共振器中央部)でリッジ間凹部幅(リッジ分離幅)W2を、狭く設定し、端面側付近のリッジ分離幅W2’を中央部のリッジ分離幅W2より広く設定する。これにより、ストライプ中央部の導波モードを横に広げ、しかも電流は狭い領域に保つことができる。したがって、活性層内部の横領域で可飽和吸収域を作り、安定にパルセーションを誘起させることができる。しかも、非点隔差に関しては、端面付近の実効的な屈折率差Δnを大きくし、インデックスガイド的な導波とすることができることから、非点隔差をゼロに近づけることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、当該第2のクラッド層の中央部がリッジ構造をなし、ストライプ状の電流注入構造を備えた半導体レーザであって、上記第2のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の第2のクラッド層に、厚さが上記リッジ構造部より薄く形成されたリッジ分離部を介して第2のリッジ構造部が形成され、かつ、中央の導波路ストライプ幅は一定であり、上記リッジ分離部の幅が、ストライプ方向の中央部と端面付近で異なるように設定されている半導体レーザ。

F-Term (16)：

5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA35 ,  5F073AA51 ,  5F073AA61 ,  5F073BA06 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073DA14 ,  5F073EA01 ,  5F073EA16 ,  5F073EA19 ,  5F073EA29