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J-GLOBAL ID：200903051898919799

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 小出 典克 ,  高平 宜幸
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001107963
Publication number (International publication number)：2002190621
Application date： Apr. 06, 2001
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 Si基板を用いて窒化物半導体発光素子を作製する際、基板と第1導電型の窒化物半導体層との間の中間層として、従来用いているAlN層では高抵抗のためSi基板側からの電流注入を行うことができない。【解決手段】 中間層としてAlGaInN層を用いて、低温で成長することによって、平坦性もよく、基板側からの電流注入が可能な窒化物半導体発光素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

Si基板と、その上に順次形成された第1導電型窒化物半導体と、発光層と、第2導電型窒化物半導体とを備えた半導体発光素子において、前記Si基板と前記第1導電型窒化物半導体との間に、AlxGayInzN(x+y+z=1,0≦y≦0.5,5/95≦z/x≦40/60)からなる中間層を具備することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

F-Term (23)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53