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J-GLOBAL ID:200903051904888078

半導体装置用基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995094922
Publication number (International publication number):1996288423
Application date: Apr. 20, 1995
Publication date: Nov. 01, 1996
Summary:
【要約】【目的】プリント配線板と、リードフレームのアイランドとの間に剥離が生じず、半導体装置に用いた場合に、より信頼性の高い半導体装置を得ることができる、かつ簡易な方法である、半導体装置用基板の製造方法を提供する。【構成】銅を主成分とする金属からなるリードフレームのアイランド2上に、接着材料1を介して、プリント配線板4を接着する第一工程と、前記リードフレームと前記プリント配線板を電気的に接続する第二工程とを含む半導体装置用基板の製造方法において、第一工程の前に、少なくともアイランド2の表面を、ペルオクソ二硫酸ナトリウムを用いて粗化処理する工程を行うことを特徴とする。
Claim (excerpt):
少なくとも表面が銅を主成分とする金属からなり、アイランドを有するリードフレームのアイランド上に、接着材料を介して、プリント配線板を接着する第一工程と、前記リードフレームと前記プリント配線板を電気的に接続する第二工程とを含む半導体装置用基板の製造方法において、前記第一工程の前に、前記リードフレームの少なくともアイランドの表面を、ペルオクソ二硫酸ナトリウムを用いて粗化処理する工程を行うことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
IPC (2):
H01L 23/12 ,  H01L 23/50
FI (3):
H01L 23/12 N ,  H01L 23/50 U ,  H01L 23/12 L

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