Pat

J-GLOBAL ID：200903051910196293

電力用半導体装置

Inventor： 大沼 智幸
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000058414
Publication number (International publication number)：2001251846
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ノーマリオン型のSITを主デバイスした電力用半導体装置であって、従来のSITの取り扱いの難しさを緩和し、駆動を容易に行え、しかもSITの性能を充分に活かすことのできる電力用半導体装置を得る。【解決手段】 SIT1と、MOSFET2と、ツェナーダイオード3と、ダイオード5と、直流電源4とを主要構成要素とする電力用半導体装置であって、前記SIT1のソースと、前記MOSFET2のドレインを直列に接続し、前記SIT1のゲートを前記ツェナーダイオード3のカソードに接続し、前記ツェナーダイオード3のアノードを、前記MOSFET2のソースに接続し、前記ツェナーダイオード3の両端に、ダイオード5を介して、前記直流電源4を接続した電力用半導体装置とする。

Claim (excerpt)：

静電誘導型トランジスタと、絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、ツェナーダイオードと、ダイオードと、直流電源とを主要構成要素とする電力用半導体装置において、前記静電誘導型トランジスタのソースと、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレインを直列に接続し、前記静電誘導型トランジスタのゲートを前記ツェナーダイオードのカソードに接続し、前記ツェナーダイオードのアノードを、前記絶縁ゲート型電解効果トランジスタのソースに接続し、前記ツェナーダイオードの両端に、ダイオードを介して、前記直流電源を接続したことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3)：

H02M 1/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H02M 1/08 A ,  H01L 27/04 F

F-Term (14)：

5F038AV04 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5H740AA04 ,  5H740BA07 ,  5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB07 ,  5H740HH01 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01 ,  5H740LL03