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J-GLOBAL ID：200903051917600910

薄膜キャパシタ

Inventor： 佐野 賢也 ,  川久保 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998061731
Publication number (International publication number)：1999261028
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 エピタキシャル効果を利用した強誘電体薄膜や高誘電率薄膜を使用した薄膜キャパシタを、界面での酸化などによる膜剥がれや特性劣化を抑制した上で、Si基板上に良好な膜質および結晶状態を維持して作製する。【解決手段】 Si基板1上に順にエピタキシャル成長させた、バリア層2、酸化防止層3、下部電極層4、誘電体薄膜5および上部電極層6を具備する薄膜キャパシタである。バリア層2は、Si基板側に配置されたTiN、VN、CrNなどからなる金属窒化物層7と、下部電極層4側に配置された複合金属窒化物、例えばTi1-x Mx N(M:Al,Zr)、V1-x M′x N、Cr1-x M′x N(M′:Si,Al,Ti,Zr,Nb)などからなる複合金属窒化物層8との積層膜を有する。あるいは、M元素もしくはM′元素の濃度を膜厚方向に変化させた傾斜組成を持つ複合金属窒化物層を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に順にエピタキシャル成長させた、バリア層、下部電極層、誘電体薄膜、および上部電極層とを具備する薄膜キャパシタにおいて、前記バリア層は、前記半導体基板側に配置された金属窒化物と、前記下部電極層側に配置され、 2種以上の金属元素を含む複合金属窒化物とを有することを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (7)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 29/78 371