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J-GLOBAL ID：200903051923977499

主として<100>配向した多結晶シリコン領域を有するLCDの形成方法

Inventor： アポストロス ボウトサス
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002027481
Publication number (International publication number)：2002313723
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 より均一な結晶学的配向を有する多結晶シリコン膜を用いてLCDを製造する方法、および回路構造物またはピクセル構造物を形成するために主として<100>配向した多結晶シリコンを用いてLCDを製造することが可能な方法を提供すること。【解決手段】 基板上に液晶ディスプレイ(LCD)を形成する方法であって、前記基板を提供する工程と、前記基板の上に少なくとも100nmの厚さのアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一つの領域をアニーリングし、主に<100>の結晶学的配向を有する少なくとも一つの多結晶膜領域を生成する工程と、前記アモルファスシリコン膜の上にピクセル構造物を形成する工程と、前記少なくとも一つの多結晶膜領域の上に回路構造物を形成する工程とを包含する、方法。

Claim (excerpt)：

基板上に液晶ディスプレイ(LCD)を形成する方法であって、a)前記基板を提供する工程と、b)前記基板の上に少なくとも100nmの厚さのアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、c)横方向結晶化プロセスを使用して前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一つの領域をアニーリングし、主に<100>の結晶学的配向を有する少なくとも一つの多結晶膜領域を生成する工程と、d)前記アモルファスシリコン膜の上にピクセル構造物を形成する工程と、e)前記少なくとも一つの多結晶膜領域の上に回路構造物を形成する工程とを包含する、方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 D

F-Term (33)：

2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA30 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BA12 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP38