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J-GLOBAL ID：200903051931223134

圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法

Inventor： 長谷川 和正
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000252635
Publication number (International publication number)：2002076291
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板材料の選択に自由度を持たせることが可能で、構成体へのダメージが生じず、構成体への剥離層の残存がない圧電・強誘電体デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 第1の基板101上に犠牲層102、緩衝層103、下電極104、圧電・強誘電体薄膜105、上電極106を形成し、その後、上電極106、圧電・強誘電体薄膜105、下電極104のパターニング行い、圧電・強誘電体キャパシタを形成し、犠牲層102をエッチングすることにより第1の基板101から緩衝層103及び前記圧電・強誘電体キャパシタを剥離する。その後、第1の基板101から剥離した緩衝層103と圧電・強誘電体キャパシタを第2の基板107上へ固定する。

Claim (excerpt)：

第1の基板上に、犠牲層を形成する工程、前記犠牲層上に緩衝層を形成する工程、前記緩衝層上に少なくとも1層以上の導電層を有してなる下電極を形成する工程、圧電・強誘電体薄膜を形成する工程、少なくとも1層以上の導電層を有してなる上電極を形成する工程、前記上電極及び圧電・強誘電体薄膜をパターニングする工程、前記下電極をパターニングする工程、前記犠牲層をエッチングすることにより前記下電極、圧電・強誘電体薄膜、及び上電極からなる圧電・強誘電体キャパシタ及び前記緩衝層を第1の基板上から剥離する工程、さらに第1の基板から剥離した圧電・強誘電体キャパシタ及び緩衝層を第2の基板上に固定する工程を有することを特徴とする、圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/105 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/22

FI (3)：

H01L 37/02 ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 41/22 Z

F-Term (6)：

5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR03