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J-GLOBAL ID：200903051935386798

高誘電膜の製造方法及びそれを用いたキャパシタの製造方法

Inventor： レ・ハク・ロー
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997199763
Publication number (International publication number)：1998098169
Application date： Jul. 25, 1997
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、誘電率が高くて、電気的、物理的な特性が向上した高誘電膜、及びそれを用いたキャパシタを提供すること。【解決手段】 基板を用意するステップと、前記基板上に第1BaXSr1ーXTiO3 層を形成するステップと、前記第1BaXSr1ーXTiO3 層上に組成の異なる第2BaXSr1ーXTiO3 層を形成するステップとを備えて製造されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

最初にBaとSrの比率Xが第1の組成を有し、表面を滑らかにするためのBST層を形成するステップと、その上に上記比率Xが第1の組成と異なり高誘電率の比率である第2組成を有するBST層を形成するステップと、を備えることを特徴とする高誘電膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z