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J-GLOBAL ID：200903051940173239

ダイヤモンドの合成法

Inventor： 築野 孝 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994298998
Publication number (International publication number)：1996133892
Application date： Nov. 07, 1994
Publication date： May. 28, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大面積のダイヤモンド単結晶膜を製造すること。【構成】 共有結合性の単結晶基板の上に、真空中で金属層を0.1〜3原子層堆積して、金属が薄く吸着された表面構造を形成した後、気相合成法によってダイヤモンドを成長させる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドをダイヤモンドとは異なる共有結合性の単結晶基板の上にヘテロエピタキシャル成長させる方法であって、真空中で金属原子を基板に堆積させ単結晶基板表面に0.1原子層〜3原子層の金属を吸着した表面構造を形成し、この後にダイヤモンドを気相合成法によって成長させることを特徴とするダイヤモンドの合成法。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/02