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J-GLOBAL ID：200903051942139631
多孔質SiC成形体の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高畑 正也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994191099
Publication number (International publication number)：1996026848
Application date： Jul. 21, 1994
Publication date： Jan. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】 安価な原料を用いて、ウイスカー性状と微粒子性状のSiCが複合した組織からなる高気孔率で材質強度に優れる多孔質SiC成形体の製造方を提供する。【構成】 籾殻の炭化物を最大粒径が40μm0以下になるように粉砕処理する粉砕工程と、粉砕後の籾殻炭化物粉末に炭化性熱硬化性樹脂の溶液を付着させる表面処理工程と、表面処理後の籾殻炭化物粉末を所定形状に成形処理する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気下で1500〜1800°Cの温度域で加熱処理する反応工程と、反応工程後の成形体を大気中で加熱処理して残留炭素成分を焼去する焼却工程とを順次に施す。得られた多孔質SiC成形体を、ポリカルボシランを含む溶液で処理したのち、前記ポリカルボシランがSiC化する温度で焼成処理すると材質強度が一層向上する。
Claim (excerpt)：
籾殻の炭化物を最大粒径が40μm 以下になるように粉砕処理する粉砕工程と、粉砕後の籾殻炭化物粉末に炭化性熱硬化性樹脂の溶液を付着させる表面処理工程と、表面処理後の籾殻炭化物粉末を所定形状に成形処理する成形工程と、成形体を非酸化性雰囲気下で1500〜1800°Cの温度域で加熱処理する反応工程と、反応工程後の成形体を大気中で加熱処理して残留炭素成分を焼去する焼却工程とを順次に施すことを特徴とする多孔質SiC成形体の製造方法。
IPC (2)：
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