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J-GLOBAL ID：200903051957195627

プラズマ処理方法

Inventor： 甲斐 隆行 ,  奥村 智洋 ,  瀧井 謙昌 ,  杉山 了一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998000466
Publication number (International publication number)：1999195641
Application date： Jan. 05, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プラズマを用いたエッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り替え、又はそれを繰り返し行って被処理物のエッチングを行うプラズマ処理方法において、エッチング側壁の荒れが殆ど発生しないようにする。【解決手段】 エッチング主体の工程Eからデポジション主体の工程Dに切り換える際に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジションガスをともに含む遷移工程Tを経由するとともに、デポジション主体の工程Dからエッチング主体の工程Eに切り換える際に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジションガスをともに含む遷移工程Tを経由するようにし、ガスの切り換えによる不連続性を緩和した。

Claim (excerpt)：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された被処理物をエッチングするに際して、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチングガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給するガスの主成分がデポジションガスであるデポジション主体の工程を所定時間間隔で切り換えるプラズマ処理方法であって、エッチング主体の工程からデポジション主体の工程に切り換える際、またはデポジション主体の工程からエッチング主体の工程に切り換える際に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスとデポジションガスをともに含む遷移工程を経由することを特徴とするプラズマ処理方法。