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J-GLOBAL ID：200903051962496295

熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法

Inventor：
大澤 洋一

About 大澤 洋一

, 
渡辺 武

About 渡辺 武

, 
畠山 潤

About 畠山 潤


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006135169
Publication number (International publication number)：2007304490
Application date： May. 15, 2006
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：
【解決手段】式(1a)で示される100°C以上の加熱で酸を発生する熱酸発生剤。CF3CH(OCOR)CF2SO3-(R1)4N+ (1a) (式中、Rはアルキル基又はアリール基。R1は水素原子、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR1のいずれか2つ以上が相互に結合して式中のNと共に環を形成してもよい。)【効果】本発明の熱酸発生剤から発生するスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩の高い基の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。また、これら熱酸発生剤は、十分な酸強度を有し、高分子量で揮発性も低く、加熱により十分な膜形成ができる。デバイス作製後のレジスト廃液処理の際にはより低分子量の低蓄積性の化合物へと変換が可能で、燃焼性も高い。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1a)で示される100°C以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤。 CF3CH(OCOR)CF2SO3-(R1)4N+ (1a)
IPC (3)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/306
FI (3)：
G03F7/004 503Z ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/302 105A
F-Term (21)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  2H025DA39 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  4H006AA03 ,  4H006AB80 ,  4H006AB93 ,  4H006TN30 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB24 ,  5F004DB26 ,  5F004EA02 ,  5F004EA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (15)
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