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J-GLOBAL ID：200903051999231283

化合物半導体選択ドライエッチング方法

Inventor： 内山 博幸 ,  谷口 隆文 ,  大部 ▲功▼ ,  今村 慶憲
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996226400
Publication number (International publication number)：1998070106
Application date： Aug. 28, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体素子製作に不可欠な選択性・異方性双方を両立する選択ドライエッチング方法を提供する。【解決手段】エッチングガスとしてSiCl4 とF,SF6 等の炭素を含有しないフッ素系ガスと酸素との混合ガスを用いる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体を選択ドライエッチングにより加工する工程において、SiCl4とF2,SF6等の炭素を含有しないフッ素系ガス、さらに酸素との混合ガスを利用し、異方性と選択性を同時に達成させることを特徴とした化合物半導体選択ドライエッチング方法。

IPC (8)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5)：

H01L 21/302 F ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H