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J-GLOBAL ID：200903052006682664

ホウ素をドープしたダイヤモンド半導体

Inventor： リネアス,ロバート,シー.
Applicant, Patent owner： アポロ ダイヤモンド,インク
Agent (2)： 大菅 義之 ,  ▲徳▼永 民雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007552399
Publication number (International publication number)：2008529285
Application date： Jan. 26, 2006
Publication date： Jul. 31, 2008
Summary：

第1及び第2の合成ダイヤモンド領域にホウ素がドープされている。第2の合成ダイヤモンド領域は、第1の合成ダイヤモンド領域よりも大きな度合でホウ素がドープされており、かつ、第1の合成ダイヤモンド領域と物理的に接触している。更なる実施形態では、第1及び第2の合成ダイヤモンド領域は、少なくとも1つの金属リードに取り付けることで、ショットキーダイオードのようなダイヤモンド半導体を形成する。更なる幾つかの実施形態におけるダイヤモンドは、合成ダイヤモンドの導電率を高めるために、C12を高濃度に含んだダイヤモンドである。一実施形態における製造プロセスは、ダイヤモンド層のひとつを水素注入層に沿って分離することを含んでいる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

ホウ素のドープされた第1の合成ダイヤモンド領域と、 ホウ素のドープされた第2の合成ダイヤモンド領域とを備え、 前記第2の合成ダイヤモンド領域は、前記第1の合成ダイヤモンド領域よりも大きな度合でホウ素がドープされ、かつ、前記第1の合成ダイヤモンド領域と物理的に接触していることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/16 ,  H01L 21/02

FI (4)：

H01L29/48 D ,  H01L21/265 Q ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 B

F-Term (10)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104GG13