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J-GLOBAL ID:200903052036514782
液晶表示素子
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994256071
Publication number (International publication number):1996095062
Application date: Sep. 27, 1994
Publication date: Apr. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 液晶を乱れの少ない良好な状態に配向させることができ、低電圧で液晶を駆動することができる液晶表示素子を提供することである。【構成】 液晶表示素子のTFT形成用の基板11に窪み部31を形成し、窪み部31内にTFT14を形成する。基板11の主面上にアクティブ素子14に接続された画素電極13を形成する。窪み部31を充填し、かつ、アクティブ素子14と画素電極13の上に平坦化膜17を形成し、その上に配向膜18を形成する。配向膜18の表面の凸凹による最大傾斜角φを強誘電性液晶23のコーンアングルθより小さくし、凸凹による配向の乱れを最小限に抑える。
Claim (excerpt):
一主面に窪み部が形成された第1の基板と、前記第1の基板の前記窪み内に少なくとも一部が形成され、マトリクス状に配置されたアクティブ素子と、マトリクス状に配置され、対応する前記アクティブ素子に接続された画素電極と、前記アクティブ素子及び前記画素電極の上に形成され、前記窪み及び前記アクティブ素子に対応する凸凹が形成された第1の配向膜と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に形成され、前記画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極上に形成された第2の配向膜と、前記第1と第2の配向膜の間に、螺旋構造を有して封止されたカイラルスメクティック相の液晶と、を備え、前記第1の配向膜は、その表面の前記螺旋構造の螺旋の軸に対する最大傾斜角が、前記螺旋の軸と液晶分子のダイレクタの成す角度よりも小さくなるように形成されている、ことを特徴とする液晶表示素子。
IPC (3):
G02F 1/1337 510
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/136 500
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