窒化物半導体基板の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001032064
Publication number (International publication number)：2002237458
Application date： Feb. 08, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】窒化物半導体基板を低欠陥かつ厚膜で成長させ単体基板として製造できるようにする。【解決手段】基板上に窒化物半導体をハイドライド気相成長法等により成長速度を変えて成長させた後、研磨により基板を除去する。

Claim (excerpt)：

第1の面と第2の面とを有し窒化物半導体と異なる材料から成る異種基板の第1の面上に、窒化物半導体から成る第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、前記第1の工程後、前記第1の窒化物半導体上に第2の窒化物半導体を成長させる第2の工程と、前記第2の工程後、前記異種基板の第2の面を研磨して異種基板を除去する第3の工程と、を備えることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/304 622 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/304 622 W , H01L 33/00 C

F-Term (36)：

5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045BB09 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045DQ06 , 5F045EB13 , 5F045EE12 , 5F045GH09 , 5F045HA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および窒化物系III-V族化合物半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-325260 Applicant：ソニー株式会社
窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-376422 Applicant：ソニー株式会社
窒化ガリウム結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-090673 Applicant：松下電子工業株式会社

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