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J-GLOBAL ID：200903052046960268

MOSトランジスタ及びその製造方法

Inventor：
河野 憲司

About 河野 憲司


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998171373
Publication number (International publication number)：2000012842
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】新規な構成にてサージ対策用のボディーダイオードを作り込んだMOSトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】n+ 型基板1の上のn型エピタキシャル層2の表層部にはチャネルpウエル領域3が形成され、pウエル領域3にはV字型溝4が形成されている。溝4の内部にはボロンドープトポリシリコン層5が充填され、溝4の側面に沿ってp型ボディー領域6が形成されている。p型ボディー領域6とn型エピタキシャル層2との界面でボディーダイオードが形成される。エピタキシャル層2の上面にはゲート酸化膜9a,9bを介してポリシリコンゲート電極10a,10bが形成されている。ソース電極13はコンタクトホール12を通してn+ 型ソース領域7a,7bおよびボディーp+ 型領域8と接している。n+ 型基板1の裏面にはドレイン電極15が形成されている。
Claim (excerpt)：
半導体基板の上に形成された第1導電型の半導体層と、前記半導体層の表層部に形成された第2導電型のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の表層部に形成された第1導電型の不純物拡散領域と、前記半導体層の上に配置され、少なくとも前記第1導電型の不純物拡散領域と接する電極と、を有するMOSトランジスタであって、前記半導体層の表層部に形成され、前記チャネル形成領域の表面に開口する溝と、前記半導体層における前記溝の側壁を構成する部位に、前記チャネル形成領域よりも深く形成され、前記半導体層との界面でボディーダイオードを形成するための第2導電型のボディー領域と、を備えたことを特徴とするMOSトランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 652 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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