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J-GLOBAL ID：200903052052066056

絶縁膜の形成方法

Inventor： 斉藤 正樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010529
Publication number (International publication number)：1993206118
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜の剥れを防止し、下地界面近傍のシリコン窒化膜の膜質の低下も防止できる絶縁膜の形成方法を得んとするものである。【構成】 SiH4流量100〜200SCCM,NH3流量30〜90SCCM,N2流量1000〜2000SCCM,圧力3〜6torr,温度350〜400°C,RFパワー380W以上,電極間隔390〜700milsの条件下で基板上にシリコン窒化膜を成長させる枚葉式プラズマCVD装置においては、成膜直前に上記条件中SiH4流量を10〜60SCCM,NH3流量をOSCCMとし、他のパラメータは不変として1〜5秒のプリデポジションを行なうことにより、シリコン窒化膜の膜剥れを防止し、膜質を向上することができた。

Claim (excerpt)：

基体上に、シラン(SiH4)と窒素(N2)とをソースガスに用いて第1の絶縁膜を形成し、連続してシランと窒素とアンモニア(NH3)とをソースガスに用いて第2の絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-206668   Applicant：富士通株式会社
• 半導体素子の保護膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-202993   Applicant：沖電気工業株式会社