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J-GLOBAL ID:200903052055535600
マイクロチャンネルプレートを製造するためのシリコンエッチング方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤井 紘一 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998548535
Publication number (International publication number):2002512737
Application date: May. 08, 1998
Publication date: Apr. 23, 2002
Summary:
【要約】マイクロチャンネルプレートのような、細長い孔アスペクト比のチャンネル(30)を有する素子を、p-タイプシリコン素子(10)を電解液(26)において電気化学エッチングに供して素子を透通するチャンネルを形成することによりつくる。電解液は水性電解液とすることができる。マイクロチャンネルプレートとして使用する場合には、チャンネルのシリコン面を絶縁二酸化炭素(28)に変えることができ、高電子放出性のダイノード材料(32)をチャンネルの絶縁面に被着することができる。新規のダイノード材料も開示されている。
Claim (excerpt):
シリコン素子の所定の位置に高アスペクト比のチャンネルを形成する方法であって、 (a)表面及び裏面を有するp-ドープシリコン素子を提供する工程と、 (b)素子の表面の所定の位置に複数のピットを形成する工程と、 (c)素子の表面及び対電極を電解液と接触状態に保持するとともに、素子を対電極に対して正の電位に保持することにより、素子を前記ピットにおいて優先的にエッチングに供して前記表面から前記裏面へ向けてシリコン素子を介して並行して延びるチャンネルを形成する工程とを備えることを特徴とする方法。
IPC (3):
H01L 21/3063
, H01J 9/12
, H01J 43/24
FI (3):
H01J 9/12 D
, H01J 43/24
, H01L 21/306 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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多孔部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-031198
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-190389
Applicant:日本電装株式会社
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特開昭54-059071
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特開平3-116627
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特開昭51-005958
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