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J-GLOBAL ID：200903052063750242
半導体の不純物量測定方法および装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
五十嵐 孝雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032633
Publication number (International publication number)：1997205123
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体表面近傍に形成された絶縁膜中に含まれる複数種類の不純物元素を分離してその不純物量を測定する。【解決手段】 半導体表面との間にギャップを隔てて測定電極を位置決めし、絶縁膜中の特定不純物元素がほとんどイオン化されていない状態において第1のC-V曲線を求める。また、半導体表面に分光された単色光を照射することによって、絶縁膜中の特定不純物元素をイオン化させ、絶縁膜中の前記特定不純物元素がイオン化された状態における第2のC-V曲線を測定する。そして、前記第1と第2のC-V曲線の電圧シフト量から、特定不純物元素の量を決定する。
Claim (excerpt)：
半導体表面近傍に形成された絶縁膜中の不純物量を非接触で測定する方法であって、(a)半導体表面との間にギャップを隔てて測定電極を位置決めする工程と、(b)前記絶縁膜中の特定不純物元素がほとんどイオン化されていない状態において第1のC-V曲線を求める工程と、(c)前記半導体表面に分光された単色光を照射することによって、前記絶縁膜中の特定不純物元素をイオン化させる工程と、(d)前記測定電極を用いて、前記絶縁膜中の前記特定不純物元素がイオン化された状態における第2のC-V曲線を測定する工程と、(e)前記第1と第2のC-V曲線の電圧シフト量から、前記特定不純物元素の量を決定する工程と、を備えることを特徴とする半導体の不純物量測定方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/66 N
, G01N 27/00 Z
