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J-GLOBAL ID：200903052065637427

導電体の形成方法

Inventor： 木村 紳一郎 ,  野田 浩正 ,  後藤 康 ,  山本 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994229630
Publication number (International publication number)：1996097219
Application date： Sep. 26, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 導電体9A(又は9B)の形成時間を短縮する。現行のドライエッチング装置で導電体を形成する。ドライエッチング装置の稼働率を高める。【構成】 導電体9Aの形成方法において、第1絶縁膜4の表面上に第1金属膜6を形成する工程と、第1金属膜6の表面上に第2絶縁膜7を形成する工程と、第2絶縁膜7にパターンニングを施し、第1金属膜6の一部の表面を露出する開口7Aを形成する工程と、開口7Aから露出する第1金属膜6の一部の表面上に第2金属膜8を選択的に形成する工程と、第2絶縁膜7を除去する工程と、第2金属膜8をエッチングマスクとして使用し、第1金属膜8にパターンニングを施す工程を備える。第2金属膜8は、白金(Pt)又は銅(Cu)膜で形成され、かつ有機金属気相化学成長法で形成される。

Claim (excerpt)：

第1絶縁膜の表面上に第1金属膜を形成する工程と、前記第1金属膜の表面上に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜にパターンニングを施し、前記第1金属膜の一部の表面を露出する開口を形成する工程と、前記開口から露出する第1金属膜の一部の表面上に第2金属膜を選択的に形成する工程と、前記第2絶縁膜を除去する工程と、前記第2金属膜をエッチングマスクとして使用し、前記第1金属膜にパターンニングを施す工程を備えたことを特徴とする導電体の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 21/88 D ,  H01L 27/04 C