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J-GLOBAL ID：200903052072898627

半導体装置

Inventor： 深田 哲生 ,  森 剛 ,  長谷川 万希子 ,  豊田 吉彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997064108
Publication number (International publication number)：1998261635
Application date： Mar. 18, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 絶縁層に形成されたトレンチ内に埋込まれるCu配線上に形成されるキャップ層の剥離を抑制する。【解決手段】 絶縁層1に設けられたトレンチ2内に下地層3を介在してCu配線層4を形成し、このCu配線層4上に密着層5を形成する。この密着層5上にキャップ層6を形成する。

Claim (excerpt)：

トレンチが形成された絶縁層と、前記トレンチ内に下地層を介在して埋込まれCuを含む材質により構成される配線層と、前記配線層を覆うように前記トレンチ内に形成された密着層と、前記密着層を覆うように前記トレンチ内に形成されたキャップ層と、を備えた、半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 銅配線製造方法、半導体装置、及び銅配線製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-046323   Applicant：日本真空技術株式会社
• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-300180   Applicant：日本電気株式会社
• 配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-255074   Applicant：沖電気工業株式会社