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J-GLOBAL ID：200903052075548058

フィルタの改善

Inventor： ホワットモア,ロジャー・ダブリュー ,  小室 栄樹
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Agent (1)： 星宮 勝美
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002509171
Publication number (International publication number)：2004503164
Application date： Jul. 11, 2001
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

シリコン等の半導体ウェハや他のタイプのウェハ上に形成された複数の薄膜バルク波共振子(FBAR)からなるフィルタを、従来のピックアンドプレイス式機械で容易に取り扱える部品となるように、気密的にパッケージできる方法を提供する。このパッケージは薄膜圧電共振子(2)を支持するウェハ(1)と1以上の他のシリコンウェハ(8、14)の積層体からなる。これらのウェハ(1、8、14)間の結合は低融点ガラスや金属結合層を用いて陽極結合等の方法により行う。共振部品への接続は深い反応性イオンエッチング等の方法を用い、結合されている前記ウェハの一方(8)に孔(12)をエッチングすることにより行う。接続電極は孔(12)の中と孔(12)のあるウェハの表面に堆積される。生成されたチップ部品は使用前に切断または他の方法により分離される。エッチングの代わりに、分離後に接続電極をチップ端部に堆積してもよい(図9)。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

複数のバルク波共振子(BAR)(2;28)を支持する第1のウェハ(1;27)を用意する工程と、 複数の窪み(9;32)を有する第2のウェハ(8;30)を用意する工程と、 第1および第2のウェハ(1、8;27、30)を互いに結合させて、第1のウェハ(1;27)のBAR(2;28)が第2のウェハ(8;30)の窪みと位置合わせされた複合ウェハ(1、8;36)を形成する工程と、 個々のフィルタ(2;28)を分離する工程と を含むことを特徴とするフィルタの気密的パッケージング方法。

IPC (7)：

H03H3/02 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H9/17 ,  H03H9/58

FI (7)：

H03H3/02 C ,  H03H9/17 F ,  H03H9/58 A ,  H01L41/08 U ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101Z

F-Term (6)：

5J108AA07 ,  5J108BB07 ,  5J108CC11 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM08