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J-GLOBAL ID：200903052104713250
p型ダイヤモンド半導体
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996349051
Publication number (International publication number)：1998189939
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【解決手段】ダイヤモンド半導体中に、Si原子を不純物として添加したことを特徴とするp型ダイヤモンド半導体。【効果】本願発明者らの得た理論的な考察に基づいて従来では考えられなかったSi原子をアクセプターとして良好なp型ダイヤモンド半導体を得ることができた。
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド半導体中に、Si原子を不純物として添加したことを特徴とするp型ダイヤモンド半導体。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/167
, C30B 29/04 V
