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J-GLOBAL ID：200903052125876906

ポリシリコン薄膜トランジスタ及びそれを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置

Inventor： 瀬 戸 俊 祐
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997322980
Publication number (International publication number)：1999163353
Application date： Nov. 25, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ガラス基板からの可動イオンの混入を効果的にブロックすると共に、マイクロクラックの発生を効果的に抑制する。【解決手段】 ガラス基板1の上に、SiN膜アンダーコート層10とSiO膜アンダーコート層11の2層構造のアンダーコート層を配置し、その上に、薄膜トランジスタの要素である、ソース・ドレイン領域4、LDD領域9、チャネルポリシリコン層3のポリシリコン領域を形成し、続いて、ゲート絶縁膜5を介して、チャネルポリシリコン層3に対応する部分にゲート線層6を形成することにより、ガラス基板1からの可動イオンの混入を抑制した薄膜トランジスタ構造を実現すると共に、ソース・ドレイン領域4、LDD領域9、チャネルポリシリコン層3を含む、少なくともポリシリコン領域に対応するアンダーコート層の厚みを、他の領域に対して、大きく確保することによりマイクロクラックの発生を抑制する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に絶縁性のアンダーコート層を介してチャネルポリシリコン層及びその両側のソース・ドレイン領域がそれぞれ形成され、これらの上にゲート絶縁膜を介してゲート線層が形成されたポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、前記アンダーコート層は少なくとも1層構造のものとして構成されており、このアンダーコート層は、前記チャネルポリシリコンが重なっている第1のエリアの厚さが、それ以外の第2のエリアの厚さよりも厚く構成されていることを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 626 C ,  G02F 1/136 500