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J-GLOBAL ID：200903052129885322

エーテル第3級アミンの製法

Inventor： 増田 洋之 ,  西本 宇一郎 ,  福島 哲朗 ,  安倍 裕
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 有賀 三幸 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000403424
Publication number (International publication number)：2002201165
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 反応収率及び選択性が高く、工業的に操作性と経済性に優れたエーテル第3級アミンの製法の提供。【解決手段】 一般式(1)で表されるエーテル第1級アミン又はエーテル第2級アミンに対し、Pd、Pt、Rh、Re及びRuから選ばれる元素を含有する金属触媒の存在下、反応温度60〜200°C、0.5MPa(ゲージ圧)以上の水素圧下で、アルデヒド(R3CHO)を添加する一般式(3)で表されるエーテル第3級アミンの製法。R1-O-CH2CH2CH2-NH2-n-(CH2CH2CH2-O-R2)n (1)R1-O-CH2CH2CH2-N(CH2R3)2-n-(CH2CH2CH2-O-R2)n (3)〔R1及びR2はC6〜C24の直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素基を示し、R3はH又はC1〜C5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示し、nは0又は1を示す。〕

Claim (excerpt)：

一般式(1)R1-O-CH2CH2CH2-NH2-n-(CH2CH2CH2-O-R2)n (1)〔式中、R1及びR2は炭素数6〜24の直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素基を示し、nは0又は1を示す。〕で表されるエーテル第1級アミン又はエーテル第2級アミンに対し、Pd、Pt、Rh、Re及びRuから選ばれる1種以上の元素を含有する金属触媒の存在下、反応温度60〜200°C、0.5MPa(ゲージ圧)以上の水素圧下で、一般式(2)R3CHO (2)〔式中、R3は水素原子又は炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す。〕で表されるアルデヒドを添加する一般式(3) R1-O-CH2CH2CH2-N(CH2R3)2-n-(CH2CH2CH2-O-R2)n (3)〔式中、R1、R2、R3及びnは前記と同じ意味を示す。〕で表されるエーテル第3級アミンの製法。

IPC (3)：

C07C213/02 ,  C07C217/08 ,  C07B 61/00 300

FI (3)：

C07C213/02 ,  C07C217/08 ,  C07B 61/00 300

F-Term (10)：

4H006AA02 ,  4H006AC11 ,  4H006AC52 ,  4H006BA25 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H039CA10 ,  4H039CA12 ,  4H039CA71 ,  4H039CB30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭60-130551