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J-GLOBAL ID:200903052149550750
低電圧プログラム可能記憶素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
頓宮 孝一 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992065640
Publication number (International publication number):1993101687
Application date: Mar. 24, 1992
Publication date: Apr. 23, 1993
Summary:
【要約】【目的】 低い電流値で短期間にプログラムすること。【構成】 冗長プログラミング用プログラム可能記憶素子1は、プログラム可能アンチヒューズ回路を備え、複数の第1の抵抗F1、F2と、この第1の抵抗のプログラミングを可能にするため、複数の第1の制御信号に応答して第1の抵抗を直列に接続し、かつ複数の第2の制御信号に応答して第1の抵抗を並列に接続するスイッチング回路QP1、QP2、QS1、QS2と、第1の抵抗がプログラムされたかどうか決定する検出回路2とを含む。第1の抵抗の状態は、この第1の抵抗に跨る第1の電圧降下を第2の抵抗に跨る第2の電圧降下と比較することにより決定される。
Claim (excerpt):
プログラム可能アンチヒューズ回路において、加えられる予め定めた閾値電流に応答して予め定めた第2の抵抗値に減少することができる直列の予め定めた第1の抵抗値を有する複数の抵抗と、前記予め定めた閾値電流の前記抵抗に対する印加を許容するため、複数の第1の制御信号に応答して前記抵抗を直列に接続し、複数の第2の制御信号に応答して該抵抗を並列に接続するスイッチング手段とを具備することを特徴とするプログラム可能アンチヒューズ回路。
IPC (6):
G11C 17/00
, G11C 11/413
, G11C 11/401
, G11C 17/06
, G11C 29/00 301
, H01L 27/10 491
FI (3):
G11C 11/34 341 C
, G11C 11/34 371 D
, G11C 17/06 Z
Patent cited by the Patent:
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