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J-GLOBAL ID：200903052150332082
シリコン酸化膜形成法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992137807
Publication number (International publication number)：1993308070
Application date： Apr. 30, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 シリコン基板上に、シリコン酸化膜を、シリコン基板との間で原子レベルで十分平坦性を有する界面を形成しているものとして、熱酸化法によって形成する。【構成】 シリコン基板の表面に対し平坦化処理を施し、次で、その平坦化されたシリコン基板の表面上に、シリコン酸化膜を熱酸化法によって形成するが、シリコン基板の表面に対する平坦化処理を、超高真空中における、1300°C以下1100°C以上の温度での熱処理とする。
Claim (excerpt)：
予め用意されたシリコン基板の表面に対し平坦化処理を施す工程と、上記平坦化処理を施す工程によって平坦化されている上記シリコン基板の表面に、シリコン酸化膜を熱酸化法によって形成する工程とを有するシリコン酸化膜形成法において、上記平坦化処理を施す工程が、上記シリコン基板の表面に対し、超高真空中で、1300°C以下1100°C以上の温度での熱処理を施す工程を有することを特徴とするシリコン酸化膜形成法。
Patent cited by the Patent：
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