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J-GLOBAL ID：200903052157174601

半導体素子の実装方法

Inventor： 幸谷 信之
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991328524
Publication number (International publication number)：1993166976
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子の表面に第一樹脂層を形成する工程と、前記第一樹脂層を覆う第二樹脂層を形成する工程とを含む半導体素子の実装方法において、両樹脂層の密着性の劣化を生じない、信頼性に優れた実装構造を実現する。【構成】 半導体素子1の表面にはポリイミド樹脂による第一の樹脂層が形成されている。このポリイミド樹脂の層3を300〜350°Cでキュアーした後、酸素プラズマによるアッシング処理を行う。この処理によってポリイミド樹脂層3の表面には微小な凹凸が形成され、粗面化する。つぎに半導体素子1の表面のアルミニウム電極2の上にスタッドバンプ法で突起電極4を設ける。この突起電極4を液晶パネル等の実装基板8の電極7に導電性接着剤5で接続する。そして半導体素子1と実装基板8との空間にシリコーン樹脂6を充填し、空間を埋める。続いてシリコーン樹脂6を熱硬化し、半導体素子1を固定する。

Claim (excerpt)：

半導体素子の表面に第一樹脂層を形成する工程と、前記第一樹脂層を覆う第二樹脂層を形成する工程とを含む半導体素子の実装方法において、前記第二樹脂層の形成前に前記第一樹脂層の表面を粗面化する工程を有する半導体素子の実装方法。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28