半導体装置および製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991168263
Publication number (International publication number)：1993021384
Application date： Jul. 09, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高集積化に対応可能な配線を有する半導体装置および製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の半導体装置の製造方法は基体上11に設けられた絶縁膜14に溝16を形成し、この溝の内壁面に導電層17を形成し、この導電層を成長の核として導電性材料を選択的に堆積させて溝内に埋込配線部を形成する各工程を含む。導電層の形成工程はエッチバック法を用いて行う。

Claim (excerpt)：

基体上に設けられた絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝の内壁面に導電層を形成する工程と、前記導電層を成長の核として導電性材料を選択的に堆積させて前記溝内に埋込配線部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭62-141740
特開昭61-214449
特開昭61-137344

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