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J-GLOBAL ID：200903052163397140
自己整合InP系HBT
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上代 哲司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044540
Publication number (International publication number)：1993243258
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 InP系ヘテロバイポーラトランジスタの性能を向上させる。【構成】 InP基板上に第一導電型のInPサブコレクタ層、任意の導電型を有するInPコレクタ層、第二導電型のGaInAsベース層、ならびに第一導電型のInPエミツタ層、第一導電型を有するGaInAsエミツタキャツプ層を順次積層して作成されたInP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、矩形状のエミツタの-辺の方向が<001>方向、またはそれに垂直な方向を有し、かつエミツタキヤツプ上およびベース上のオーミツク電極を同一時に形成することを特徴とした自己整合InP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
Claim (excerpt)：
InP基板上に第1の導電型のサブコレクタ層、任意の導電型を有するコレクタ層、第2導電型のべース層、ならびに第1導電型のInPエミッタ層、第1の導電型を有するGaInAsエミッタキャップ層を順次積層して作成されたInP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、矩形状のエミッタの一辺の方向が<001>方向、またはそれに垂直な方向を有し、かつエミッタキャプ上およびべース上のオーミック電極を同一時に形成することを特徴とした自己整合InP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
Cited by examiner (8)
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