半導体基板の製造方法および半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074863
Publication number (International publication number)：1999260737
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】クラックがなく、結晶欠陥や歪みなどが低減された高品質のGaN系化合物半導体により構成される半導体基板の製造方法および半導体発光素子を提供する。【解決手段】単結晶基板21の表面上に、選択成長のための核発生層22を積層し、該核発生層22上に、選択成長用マスク23を積層し、該選択成長用マスク23のマスクパターンを通して、GaN系化合物半導体層24を選択成長し、この際、選択成長のための核発生層22をAlN層で構成し、このAlN層を選択的にエッチング除去することによってGaN系化合物半導体層24を分離して半導体基板を作製する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板表面上に、選択成長のための核発生層を積層し、該核発生層上に、選択成長用マスクを積層し、該選択成長用マスクのマスクパターンを通して、GaN系化合物半導体層を選択成長して形成した半導体基板において、選択成長のための核発生層をAlN層で構成し、このAlN層を選択的にエッチング除去することによってGaN系化合物半導体層を分離して作製されることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

GaN単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242967 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体素子及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-038118 Applicant：株式会社東芝
エピタキシャル層中の欠陥の除去
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平11-507411 Applicant：シービーエルテクノロジーズ

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Cited by examiner (1)

GaN単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242967 Applicant：三菱電線工業株式会社

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